韩国内存芯片制造商SK海力士宣布完成下一代HBM4内存开发，并已具备全球首个大规模量产条件，这标志着该公司在人工智能内存领域的技术领先地位进一步巩固。

周五，SK海力士宣布，新产品通过采�个I/O终端实现带宽翻倍，功耗效率较前一代产品提升超�%，运行速度超�Gbps，远超JEDEC标准񊄰Gbps要求。

该公司预计，HBM4产品应用后可将AI服务性能提升最�%，有助于解决数据瓶颈问题并显著降低数据中心电力成本。

随着AI需求急剧增长和数据处理需求激增，高带宽内存需求持续攀升，同时数据中心运营功耗增加使得内存功耗效率成为客户关键需求。

性能和效率双提升、采用成熟工艺降低风险

SK海力士HBM4在技术规格上实现重大突破。产品采�个I/O终端，数量较前代翻倍，从而使带宽实现翻倍提升。同时，功耗效率改善超�%，运行速度突�Gbps，远超行业标准񊄰Gbps水平。

该公司预测，当HBM4产品投入应用时，AI服务性能可提升高�%。这一性能提升将直接解决当前AI系统面临的数据瓶颈问题，并为数据中心带来显著的电力成本节约。

为确保大规模量产的稳定性，SK海力士在HBM4中采用了经市场验证的Advanced MR-MUF工艺�nm工艺，这些成熟工艺的应用旨在最大限度地降低量产过程中的技术风险。

SK海力士HBM开发负责人Joohwan Cho表示：

HBM4开发的完成将成为行业的新里程碑。通过及时供应在性能、功耗效率和可靠性方面满足客户需求的产品，公司将实现及时上市并保持竞争地位。

SK海力士AI基础设施总裁Justin Kim指出，HBM4是"超越AI基础设施限制的象征性转折点"，将成为克服技术挑战的核心产品。公司计划通过及时供应AI时代所需的最优质量和多样化性能的内存产品，发展成为全栈AI内存供应商。

随着AI需求的戏剧性增长和数据处理需求激增，对更快系统速度所需的高带宽内存需求正在飙升。SK海力士认为，具备更高带宽和功耗效率的HBM4将成为满足客户需求的最优解决方案。