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9月10日-12日，SEMICON Taiwan 2025在臺北南港展覽館盛大舉行，一場由人工智能（AI）芯片驅(qū)動，融合先進(jìn)封裝、3DIC、Chiplet與扇出型面板級先進(jìn)封裝（FOPLP）等前沿技術(shù)的創(chuàng)新浪潮席卷而來。在這場年度盛會上，盛美半導(dǎo)體全面展示了其在FOPLP設(shè)備領(lǐng)域的最新成果與戰(zhàn)略布局。

AI芯片引爆需求 FOPLP或成未來封裝技術(shù)新主流

在AI、高性能計算（HPC）、數(shù)據(jù)中心等新興應(yīng)用帶動下，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝風(fēng)向轉(zhuǎn)向，F(xiàn)OPLP有望接棒CoWoS，成為未來AI芯片封裝新主流?，F(xiàn)行CoWoS采用圓形基板，隨著可置放的芯片越來越大，無法達(dá)到有限切割需求，若改由面板級封裝的方形基板進(jìn)行芯片封裝，數(shù)量會比采用圓形基板多數(shù)倍，達(dá)到更高的利用率，并大幅降低成本，使得FOPLP成為半導(dǎo)體先進(jìn)封裝新顯學(xué)。

盛美半導(dǎo)體董事長王暉博士表示：“先進(jìn)封裝對于滿足低延遲、高帶寬和高性價比半導(dǎo)體芯片的需求越來越重要。扇出型面板級封裝（FOPLP）能夠提供高帶寬和高密度的芯片互連，因此具有更大的發(fā)展?jié)摿?，此方法正在迅速成為關(guān)鍵解決方案，它將多個芯片、無源器件和互連集成在面板上的單個封裝內(nèi)，可提供更高的靈活性、可擴(kuò)展性以及成本效益?！?/p>

從市場規(guī)模來看，據(jù)Yole預(yù)測，扇出型面板級封裝（FOPLP）方法的應(yīng)用增長速度高于扇出市場整體增長速度，其市場份額相較于扇出型晶圓級封裝（FOWLP）而言將從2022年的2%上升至2028年的8%?！斑@一增長背后的主要動力是成本的降低，傳統(tǒng)硅晶圓的使用率低于85%，而面板的使用率高于95%，600x600毫米面板的有效面積是300毫米傳統(tǒng)硅晶圓有效面積的5.7倍，面板總體成本預(yù)計可降低66%。面積利用率的提高帶來了更高的產(chǎn)能、更大的AI芯片設(shè)計靈活性以及顯著的成本降低?！蓖鯐煵┦空f道。

在這一進(jìn)程中，半導(dǎo)體設(shè)備作為其中關(guān)鍵一環(huán)前景廣闊，盛美半導(dǎo)體敏銳地洞察到這一趨勢，憑借豐富的技術(shù)和工藝積累，積極布局FOPLP領(lǐng)域，不斷豐富產(chǎn)品線，致力于為全球集成電路行業(yè)提供先進(jìn)的設(shè)備及工藝解決方案。

盛美半導(dǎo)體董事長王暉博士

解決電鍍工藝難題 盛美半導(dǎo)體面板級電鍍設(shè)備實現(xiàn)突破

在本次SEMICON Taiwan 2025上，王暉博士在主題為《面向AI芯片的先進(jìn)封裝FOPLP與電鍍技術(shù)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》分享中全面展示了盛美半導(dǎo)體在FOPLP領(lǐng)域的最新突破與成果。

從技術(shù)上來看，F(xiàn)OPLP的高精度工藝注定其對設(shè)備要求極高，尤其是在光刻、電鍍和層壓工藝環(huán)節(jié)。以電鍍工藝為例，目前面臨著諸多難題：在高深寬比TSV和細(xì)間距RDL結(jié)構(gòu)中，電鍍液浸潤不均與電流分布不勻易導(dǎo)致鍍層厚度差異，影響芯片性能；多材料電鍍（如Cu、Ni、SnAg）時易發(fā)生槽間交叉污染；此外，硅、玻璃、環(huán)氧樹脂等基材的熱膨脹系數(shù)差異可能引起面板翹曲，進(jìn)而破壞電鍍均勻性。實現(xiàn)FOPLP的大規(guī)模量產(chǎn)，攻克電鍍設(shè)備難關(guān)已成為當(dāng)前的關(guān)鍵所在。盛美半導(dǎo)體基于多年技術(shù)積累推出的Ultra ECP ap-p面板級水平電鍍設(shè)備解決了電鍍工藝的難題，實現(xiàn)了多項技術(shù)創(chuàng)新。

盛美半導(dǎo)體Ultra ECP ap-p面板級電鍍設(shè)備

據(jù)王暉博士介紹，與傳統(tǒng)的垂直電鍍解決方案不同，盛美半導(dǎo)體的Ultra ECP ap-p面板級電鍍設(shè)備創(chuàng)新性地采用了水平（平面）電鍍方式，利用旋轉(zhuǎn)的方式，搭配獨(dú)立的多陽極控制，能夠更好地控制電鍍均勻性；同時能夠?qū)崿F(xiàn)面板傳輸過程中引起的槽體間污染控制，大大降低了不同種金屬之間離子交叉污染的風(fēng)險，可作為具有亞微米RDL和微柱的大型面板的理想選擇。該設(shè)備可加工尺寸高達(dá)515x510毫米的面板，同時具有600x600毫米版本可供選擇，公司現(xiàn)在正在開發(fā)310x310毫米面板的應(yīng)用。該設(shè)備兼容有機(jī)基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、銅柱、鎳和錫銀（SnAg）電鍍、焊料凸塊以及采用銅、鎳、錫銀和金電鍍層的高密度扇出型（HDFO）產(chǎn)品。Ultra ECP ap-p面板級電鍍設(shè)備采用盛美半導(dǎo)體自主研發(fā)的世界首創(chuàng)面板級水平電鍍技術(shù)，可動態(tài)精確控制旋轉(zhuǎn)中的整個面板的電場分布。該技術(shù)適用于各種制造工藝，可確保整個面板的電鍍效果一致，從而確保面板內(nèi)和面板之間的良好均勻性。得益于多重優(yōu)勢，盛美半導(dǎo)體Ultra ECP ap-p設(shè)備深獲業(yè)界肯定，并于2025年3月拿下美國3D InCites協(xié)會頒發(fā)的“Technology Enablement Award”大獎

搶占先進(jìn)封裝新賽道 盛美半導(dǎo)體打造FOPLP設(shè)備產(chǎn)品矩陣

除了Ultra ECP ap-p面板級電鍍設(shè)備外，盛美半導(dǎo)體還推出了Ultra C vac-p面板級負(fù)壓清洗設(shè)備、Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設(shè)備兩款面板級先進(jìn)封裝的新產(chǎn)品，助推AI芯片封裝從傳統(tǒng)的晶圓級封裝向更高密度、更大尺寸的面板級封裝轉(zhuǎn)型。

盛美半導(dǎo)體Ultra C vac-p面板級負(fù)壓清洗設(shè)備

王暉博士指出，“當(dāng)節(jié)點(diǎn)尺寸小于40um時，傳統(tǒng)的助焊劑清洗設(shè)備無法清洗干凈，盛美半導(dǎo)體的負(fù)壓助焊劑清洗技術(shù)創(chuàng)造性地解決了這一問題?！本唧w來看，Ultra C vac-p面板級負(fù)壓清洗設(shè)備可處理510x515毫米和600x600毫米尺寸的面板以及高達(dá)7毫米的面板翹曲。利用負(fù)壓技術(shù)去除芯片結(jié)構(gòu)中的助焊劑殘留物，可使清洗液到達(dá)狹窄的縫隙，顯著提高了清洗效率，目前該設(shè)備已經(jīng)在客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)。

盛美半導(dǎo)體Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設(shè)備

Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設(shè)備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設(shè)計的濕法刻蝕工藝，在扇出型面板級封裝技術(shù)中起到至關(guān)重要的作用。該工藝對于有效避免電氣短路、最大限度降低污染風(fēng)險、保持后續(xù)工藝步驟的完整性至關(guān)重要，有助于確保器件經(jīng)久耐用。該設(shè)備的高效性主要得益于盛美半導(dǎo)體的專利技術(shù)，以應(yīng)對方形面板襯底所帶來的獨(dú)特挑戰(zhàn)。與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同，盛美半導(dǎo)體的獨(dú)特設(shè)計可以實現(xiàn)精確的去邊工藝，確保在翹曲面板的加工過程僅限于邊緣區(qū)域。這一專利技術(shù)對于保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)所需的高性能和可靠性至關(guān)重要。

展望未來，王暉博士表示：“盛美半導(dǎo)體將持續(xù)秉持‘技術(shù)差異化、產(chǎn)品平臺化、客戶全球化’的發(fā)展戰(zhàn)略，積極把握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革機(jī)遇，以前瞻視角緊跟市場趨勢，持續(xù)加大研發(fā)投入，加速全球化進(jìn)程，未來計劃在中國臺灣建設(shè)研發(fā)生產(chǎn)基地，將研發(fā)和生產(chǎn)帶到中國臺灣；同時不斷拓展和豐富產(chǎn)品矩陣，滿足全球客戶日益增長的差異化需求，致力于成為半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域具有全球影響力的創(chuàng)新引領(lǐng)者，通過一系列新產(chǎn)品的自主開發(fā)以及海內(nèi)外并購，到2030年年銷售超過200億元人民幣，目標(biāo)躋身世界集成電路設(shè)備企業(yè)十強(qiáng)行列。”（校對/孫樂）