據(jù)韓國科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院(KISTEP)最新報(bào)告,中國在多個(gè)芯片領(lǐng)域超越韓國。
目前,中國在全球半導(dǎo)體技術(shù)排名中位居第二,僅次于美國,幾乎在所有技術(shù)領(lǐng)域都領(lǐng)先韓國,包括存儲(chǔ)芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)。
中國在高密度電阻存儲(chǔ)技術(shù)方面的得分達(dá)到了94.1%,超過了韓國的90.9%;在AI芯片領(lǐng)域,中國的得分也高達(dá)88.3%,高于韓國的84.1%。
不過分析人士認(rèn)為,在存儲(chǔ)芯片方面,韓國的三星和SK海力士在DRAM、NAND和HBM芯片的產(chǎn)能、技術(shù)及研發(fā)歷史方面仍領(lǐng)先中國廠商。
此外三星已經(jīng)能夠制造3nm芯片,并計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn),其先進(jìn)封裝技術(shù)也是全球領(lǐng)先水平。
部分分析人士認(rèn)為,韓國在全球半導(dǎo)體市場的優(yōu)勢(shì)正在逐漸消退,中國芯片的崛起將對(duì)全球半導(dǎo)體格局帶來深遠(yuǎn)影響。